메모리반도체 소자회로설계를 반영하는 Photo Mask 제조공정, 소자회로 성능목표를 구현하기 위한 다양한 회로배선구조의 소자제조공정을 연구·개발한다.
수행직무
메모리반도체소자 회로설계 사양에 따라 다양한 재료와 배선선폭을 가지는 Photo Mask를 사진현상공정연구원과 함께 연구·개발한다. 고객이 요구하는 소자회로 성능목표를 기준으로 사진현상, 식각, 이온주입, 확산, 화학기상증착, 금속막증착, 세정, 연마 및 계측검사공정을 조합한 소자제조공정(Process Integration)을 단위공정연구원과 공동으로 연구·개발한다. DRAM 소자의 Isolation, Gate, Bit Line, Capacitor, Interconnect 등 회로배선을 다양한 소재, 구조를 이용하여 연구·개발한다. 이후 메모리반도체소자 조립 및 검사공정을 통해 소자의 전기적, 구조적 특성의 유효성 여부를 검증한다.